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ug10.0陈列功能强大，沿面阵列当然不在话下，在此介绍一种简量易操作的方法：利用二次沿陈列实现沿曲面UV分布5 f1 e7 @% o9 S# j/ B) s
效果如下
/ m6 P q9 c8 f1 J2 \# X, E( Y
6 ]6 s3 _# q9 V) b9 M z$ |8 p7 A6 @% Q# U
/ c" q/ A, ?9 O" q2 V# G9 X# j
先在面的一角取一点
: f; @/ H( V4 X+ N/ ~' _. z; t; B$ D
. P! l: R H4 l2 a. x
( v, D8 m( H% l2 t/ K4 H再过此点（一定是现有点，不可是捕捉点），生成一侧等参线
. u/ z0 C* L3 I& s% ~' v
: @4 s' k9 l. J/ z/ L/ ^# X
5 x2 i D# v/ r2 L3 I. D
再用点和曲线（矢量）、面（法向）生成一基准" c0 F! ^9 W: Z% _$ o
' e R- f- f( [ p$ K5 [
* ~, h3 a1 H. M8 R# |
再以此基准做一拉伸特征
# V' f3 q6 o1 q0 g2 I) \: K i: C
; v5 `5 e$ k q, Q5 _
' T! T8 i+ d% m) r选中前面的点和拉伸特征，沿等参线“阵列几何特征”，方向选”垂直于路径“，注意：1.是“阵列几何特征”，不是“阵列特征”！； 2.一定要先中曲线，不能选边！: @2 j9 s: S4 y3 Y2 _8 h
8 n% o+ v! E4 y% T3 U9 F* W! O6 B
$ l- @, p; B+ u( h& E
再选中陈列出来的特征连同做路径用的等参线，再沿另一边做沿陈列特征，注意这回是“阵列特征”，不是“阵列几何特征”啦，3 N" g7 K% g) @. w& c2 l9 I
6 N4 M* T9 t( J3 t, d" |, z: E9 v4 \, A1 y! S( O8 H) `% u X
选中红框中的特征，8 R2 r/ R/ ] l7 ], w9 [
* c: h/ Z* B& W7 i, f, V2 }/ P2 z; v4 F9 n" H
将跟随面选项打勾，并选面: B2 D% q J" O/ I
再将重引用选项如红框中设置. p& J- I" j& R) ~3 r
@ L4 l) Q, S- U# ?2 o3 J& e
' s9 h0 x& v6 x' t. I; w" F1 b1 Y确认后结果，
2 K7 B9 v5 R: f9 m
$ b- w8 ~9 I; t" b( E4 ~9 ?1 M. m0 S" Y q. \0 d; R
陈列完成2 V* s8 }* ?6 o H) Y) r
' G$ n1 c2 v0 ^
# V& M% _5 u! L/ @# o6 R6 S' T% \* K& I8 j1 d+ H/ }6 W
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狗仔卡
发表于 2015-3-13 13:51
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